三星990 EVOPlus：PCIe5.0 固态硬盘的全新选择

三星990 EVOPlus：PCIe5.0 固态硬盘的全新选择提起 PCIe5.0 固态硬盘，人们往往会想到那些读写速度破万兆，配备夸张散热片的“性能怪兽”。但实际上，这些产品更多地是厂商用来展示技术实力，其高昂的价格也让普通用户望而却步

三星990 EVOPlus：PCIe5.0 固态硬盘的全新选择

提起 PCIe5.0 固态硬盘，人们往往会想到那些读写速度破万兆，配备夸张散热片的“性能怪兽”。但实际上，这些产品更多地是厂商用来展示技术实力，其高昂的价格也让普通用户望而却步。而 PCIe4.0 固态硬盘依然是目前市场的主力军。今年 1 月，三星推出的“双模”产品 990 EVO，为 PCIe5.0 固态硬盘的应用拓展了全新的思路。而在 9 月份，三星又推出了升级版 990 EVOPlus，性能得到大幅提升，为用户提升生产力带来了全新的选择。

熟悉三星存储产品的朋友都知道，Plus 是三星产品线中的升级款标识，并不代表着超越原系列产品的定位。然而这次的升级间隔仅有 8 个月，这意味着三星显然不满足于仅仅进行小幅度的性能提升，而是希望通过半导体技术的革新，在同系列产品中实现突破性的进展。而 990 EVOPlus 的表现也确实令人惊喜，除了继承了 PCIe5.0 和 PCIe4.0 双平台兼容的特性外，还带来了多方面的性能提升。

以下以 2TB 版本为例，详细介绍 990 EVOPlus 的主要亮点：

1. 支持 PCIe4.0x4 和 PCIe5.0x2 双模式: 990 EVOPlus 可以根据 M.2 插槽支持的 PCIe 版本自动切换传输模式，在 PCIe5.0x2 模式下可降低功耗，更省电且发热量更低。

2. 搭载三星第八代 V-NAND TLC 原厂闪存颗粒: 236 层堆叠技术大幅提升了存储密度，例如 2TB 版本仅使用了一颗闪存芯片，而 4TB 版本则使用了 2 颗闪存芯片。同时，闪存的 I/O 接口带宽提高至 2400MT/s，为最高 7250MB/s 的读取速度和 6300MB/s 的写入速度提供了硬件基础，也让随机性能达到高达 1050KIOPS 和 1400KIOPS，进一步提升了大型游戏、专业剪辑等重度任务的加载效率。

3. 搭载三星 5nm 工艺制程自研主控芯片，采用镀镍涂层: 镀镍设计进一步提升了主控芯片的散热效率，加上内置的三星动态散热保护机制（DTG），最大限度地减少了过热情况。

4. 最高顺序读写速度高达 7250MB/s 和 6300MB/s: 凭借第八代 V-NAND TLC 原厂闪存芯片的性能提升，990 EVOPlus 的顺序读写速度大幅提升，达到了 PCIe5.0 固态硬盘的领先水平。

5. 最高随机读写性能达到 1050KIOPS 和 1400KIOPS: 990 EVOPlus 的随机性能表现出色，几乎可以与配备独立 DRAM 的固态硬盘产品相媲美，在进行大量细碎文件的加载时，能够提供更加流畅的使用体验。

6. IntelligentTurboWrite2.0 技术，大幅提升了 SLC 缓存空间，2TB 版本最高可达 226GB: 更大的 SLC 缓存空间让 990 EVOPlus 在进行大文件写入时能够保持高速写入速度，直到缓存空间用尽，从而提升用户在日常使用中的实际体验。

7. 电源效率比三星 990 EVO 固态硬盘提升 73%: 990 EVOPlus 在功耗优化方面也取得了显著进步，更低的功耗能够有效延长笔记本电脑的续航时间，降低发热量，从而提升整体使用体验。

外观设计方面，990 EVOPlus 延续了 990 EVO 的简洁风格：

• 外包装采用清爽的蓝色主视觉，搭配产品图片和型号标识，整体设计简洁明了。

• PCB 采用黑色设计，正面散热标签略小于 990 EVO，设计风格也稍有变化。

• 采用单面元器件方案，降低发热量，同时提高了对笔记本等紧凑型产品的兼容性。

• 背面采用大面积敷铜线路，有效提升抗干扰性能，同时提升传热效果，NAND FLASH 芯片位置也贴有铜箔散热片，进一步提升散热效率。

• 元器件布局与 990 EVO 基本相同，依然采用 DRAMLess 无外置缓存设计，主要部件为主控芯片和一颗 NAND FLASH 存储芯片。

性能测试结果表明，990 EVOPlus 在各方面都有着显著提升：

• 顺序读写性能: CrystalDiskMark 和 TxBench 测试结果显示，990 EVOPlus 在 PCIe5.0x2 模式下最高顺序读写速度分别约为 7216.91MB/s 和 6105.87MB/s，在 PCIe4.0x4 模式下则分别约为 7208.85MB/s 和 6055.98MB/s，与官方宣传的性能指标基本相符。

• 随机性能: CrystalDiskMark 测试结果显示，990 EVOPlus 的随机读写性能分别达到了 1052KIOPS 和 1368KIOPS，远超 990 EVO，接近配备 DRAM 的固态硬盘产品。

• SLC 缓存: IOmeter 测试结果显示，990 EVOPlus 2TB 版本的 SLC 缓存空间约为 226GB，在缓存空间用尽后，TLC 稳态直写速度约为 1200-1400MBps，主控完成 GC 回收后写入速度波动范围约为 1900-2200MBps。

• 发热量: IOmeter 测试结果显示，990 EVOPlus 在满载运行 20 分钟后，最高温度仅为 76℃，低于 990 EVO，并且动态散热保护机制（DTG）没有介入，说明 990 EVOPlus 的温度控制十分优秀。

• 应用模拟测试: PCMARK10 完整系统盘测试得分 4267 分，带宽为 677.32MB/s，平均存取时间为 39μs；3DMARK 存储 DLC 测试得分 4284 分，平均带宽为 735.29MB/s，平均存取时间为 42μs；FFXIV EndWalker Benchmark 游戏加载模拟测试中，全部转场载入时间仅为 7.236 秒，与配备独立 DRAM 缓存的产品基本相近。

三星魔术师软件提供了多项功能，方便用户管理和监控 990 EVOPlus：

• 状态监控: 可显示已写入总容量、剩余空间、工作温度和测速结果等信息。

• 性能测试: 内建测速功能，用户无需专业软件即可自行测试 990 EVOPlus 的性能。

• 性能模式设置: 提供全性能模式、标准模式、节能模式和自定义模式，用户可根据使用环境自由设定。

• TRIM 功能: 可以删除数据块中不再使用的数据，让 990 EVOPlus 运行更加高效。

三星 990 EVOPlus 作为 PCIe4.0 和 PCIe5.0 双平台兼容的固态硬盘，不仅性能出色，能够与配备独立缓存的产品相媲美，而且功耗和发热量更低，整体效能更优，性价比更高。

990 EVOPlus 首次搭载三星第八代 V-NAND TLC 原厂闪存芯片，大幅提升了存储性能和能效，同时也保证了产品质量和可靠性。2TB 版本的写入寿命高达 1200TBW，并且提供 5 年质保服务，进一步增强了产品的价值。

在双十一期间，三星 990 EVOPlus 也推出了优惠活动，是升级和扩容需求用户的理想选择。三星原厂品质，值得信赖，让我们一起期待三星在未来带来更多创新和惊喜！